企业简介
大连隆田科技有限公司（Dalian Longtian Tech.Co.,Ltd.）成立于2007年2月。企业的创建人员有多年在日本和美国的学习工作背景，同时也具有多年在国内的工作的经验。这是一家成长型的企业。 大连隆田科技有限公司（Dalian Longtian Tech.Co.,Ltd.）主要的经营内容包括：计算机软件、技术咨询、技术服务；进出口贸易，国内一般贸易和化工原料（主要指新能源材料）的研究开发。 大连隆田科技有限公司（Dalian Longtian Tech.Co.,Ltd.）在公司的经营上，本着“诚信专业为基石、稳健规范为理念、共享效益为目的”，充分发挥公司在国内外的良好资源，以客户为中心，诚恳为客户服务，以客户满意求发展。 大连隆田科技有限公司（Dalian Longtian Tech.Co.,Ltd.）在公司管理上吸收日本和美国的经验，同时结合国内的实际情况，在公司内部营造一个平等、公开、相互尊重的环境，让每个员工能够充分参入到公司的决策中，做到公司与个人的良性结合。
大连隆田科技有限公司的工商信息
- 91210231796922739F
- 91210231796922739F
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2007-02-08
- 战丽姝
- 300万人民币
- 2007-02-08 至 永久
- 大连高新技术产业园区市场监督管理局
- 辽宁省大连高新技术产业园区礼贤街32号B座5层507号
- 计算机软件、化工原料的研究、开发、技术咨询、技术服务（不含专项审批）；货物进出口、技术进出口、国内一般贸易（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。
大连隆田科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 12440856 |  |
隆田泰丰 | 2013-04-17 | 编织机;平毯机;炉渣筛(机器);冶炼工业用机器设备：铸铁机;铸造(锭)机;铸造机械;金属加工机械;铸件设备;离心机;筛选机; | 查看详情 |
大连隆田科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102759273B | 一种多层隔热筒装置及其制备方法 | 2014.10.22 | 本发明属于隔热保温技术领域。一种多层隔热筒装置，至少由两个单层隔热筒内外相对滑动套装组成，其中最内层 |
| 2 | CN102748951B | 一种板条单元、制备方法及板条单元组装的隔热筒 | 2014.08.20 | 本发明属于隔热材料技术领域，一种板条单元，其特征是：板条单元是由碳纤维毡经固化处理、热处理、机加工制 |
| 3 | CN202757449U | 一种板条单元及板条单元组装的隔热筒 | 2013.02.27 | 本实用新型属于隔热材料技术领域，一种板条单元，其特征是：板条单元是由碳纤维毡制成的圆弧状结构，板条单 |
| 4 | CN202752179U | 一种旋转式烘干箱装置 | 2013.02.27 | 本实用新型属于加热、烘干装置领域，特别涉及一种适用于不同领域进行加热、烘干的烘干箱装置。一种旋转式烘 |
| 5 | CN202755102U | 一种多层隔热筒装置 | 2013.02.27 | 本实用新型属于隔热保温技术领域。一种多层隔热筒装置，至少由两个单层隔热筒内外相对滑动套装组成，其中最 |
| 6 | CN102126725B | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2012.12.19 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法，先将需提纯的大块高磷、 |
| 7 | CN102759273A | 一种多层隔热筒装置及其制备方法 | 2012.10.31 | 本发明属于隔热保温技术领域。一种多层隔热筒装置，至少由两个单层隔热筒内外相对滑动套装组成，其中最内层 |
| 8 | CN102748951A | 一种板条单元、制备方法及板条单元组装的隔热筒 | 2012.10.24 | 本发明属于隔热材料技术领域，一种板条单元，其特征是：板条单元是由碳纤维毡经固化处理、热处理、机加工制 |
| 9 | CN102145895B | 一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2012.10.03 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法，在真空度为0.00 |
| 10 | CN102120578B | 一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备 | 2012.10.03 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法，先通过电 |
| 11 | CN102120579B | 一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2012.10.03 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法，先通过电子束 |
| 12 | CN202430447U | 一种双面斜刺制备预氧丝厚毡的设备 | 2012.09.12 | 本实用新型属于碳纤维毡制备的技术领域。一种双面斜刺制备预氧丝厚毡的设备，升降机构固定安装在机体上，所 |
| 13 | CN101982230B | 脉冲小孔喷射批量制备均一粒子的方法及装置 | 2012.08.29 | 本发明涉及一种脉冲小孔喷射批量制备均一粒子的方法及装置，使用加热器将底部带多孔的坩埚中的高熔点材料熔 |
| 14 | CN202390638U | 一种制备预氧丝厚毡的设备 | 2012.08.22 | 本实用新型属于碳纤维毡制备的技术领域。一种制备预氧丝厚毡的设备，设备包括底座、机体架、支撑杆、底板、 |
| 15 | CN102009180B | 脉冲小孔侧部喷射制备均一粒子的方法及装置 | 2012.07.11 | 本发明涉及脉冲小孔侧部喷射制备均一粒子的方法及装置，在熔池内外惰性气体存在压力差的条件下，通过加热器 |
| 16 | CN102505340A | 一种制备预氧丝厚毡的方法及设备 | 2012.06.20 | 本发明属于碳纤维毡制备的技术领域。一种制备预氧丝厚毡的方法，首先制备出预氧丝坯体，并裁剪成针刺机能铺 |
| 17 | CN202226676U | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备 | 2012.05.23 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备，设备由炉门 |
| 18 | CN101787563B | 感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置 | 2012.05.23 | 本发明涉及感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置，所述方法包括：用电子束熔炼方式去除硅中 |
| 19 | CN101774586B | 感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置 | 2011.12.28 | 本发明涉及感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置，所述方法是在高真空气氛中，采用感应线圈对高硼多晶硅 |
| 20 | CN202063729U | 一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置 | 2011.12.07 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置，支撑底座内安装有水 |
| 21 | CN202066346U | 一种电子束熔炼用多功能水冷铜坩埚 | 2011.12.07 | 本实用新型属于冶金法提纯金属的技术领域。一种电子束熔炼用多功能水冷铜坩埚，其由上盘和底盘固定连接而成 |
| 22 | CN202063730U | 一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备 | 2011.12.07 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备，设备由炉门及 |
| 23 | CN202066377U | 一种粉体均匀下落的装置 | 2011.12.07 | 本实用新型涉及冶金熔炼领域一种粉体均匀下落的装置，驱动机构安装于炉壁外壁之上，炉壁内腔即为炉室，装粉 |
| 24 | CN202046892U | 一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备 | 2011.11.23 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，加料真空闸室安 |
| 25 | CN202046890U | 一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的设备 | 2011.11.23 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的设备，设备由炉盖及真 |
| 26 | CN202030530U | 一种高出成率的感应熔炼提纯多晶硅粉体的设备 | 2011.11.09 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种高出成率的感应熔炼提纯多晶硅粉体的设备，涉及石英坩埚 |
| 27 | CN102219219A | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.10.19 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，加热在熔炼坩埚 |
| 28 | CN201999393U | 一种电子束熔炼粉体的下料装置 | 2011.10.05 | 本实用新型涉及电子束熔炼粉体的装置。一种电子束熔炼粉体的下料装置，它包括装粉盖、装粉桶、挡粉板和驱动 |
| 29 | CN201981011U | 一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备 | 2011.09.21 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备，设备 |
| 30 | CN201981012U | 一种电子束高效提纯多晶硅粉体的设备 | 2011.09.21 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的设备，设备中由真空盖 |
| 31 | CN201962076U | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备 | 2011.09.07 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备，设备由真空盖及真空 |
| 32 | CN201962406U | 一种双开拉板式散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉 | 2011.09.07 | 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种双开拉板式散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉，感应线圈的内部 |
| 33 | CN201962405U | 一种底部散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉 | 2011.09.07 | 本实用新型属于提纯多晶硅领域。一种底部散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉，感应线圈的内部装有保温套筒，保温套 |
| 34 | CN102145895A | 一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.08.10 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法，在真空度为0.00 |
| 35 | CN102145894A | 一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.08.10 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，在熔炼坩埚中加热 |
| 36 | CN102145893A | 一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法 | 2011.08.10 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，首先备料：将洗净烘 |
| 37 | CN102139880A | 一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法 | 2011.08.03 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，将洗净后的 |
| 38 | CN102126725A | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.07.20 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法，先将需提纯的大块高磷、 |
| 39 | CN102126726A | 一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法及设备 | 2011.07.20 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法，第一步备料：将低磷 |
| 40 | CN102120578A | 一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.07.13 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法，先通过电 |
| 41 | CN102120579A | 一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | 2011.07.13 | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法，先通过电子束 |
| 42 | CN102009180A | 脉冲小孔侧部喷射制备均一粒子的方法及装置 | 2011.04.13 | 本发明涉及脉冲小孔侧部喷射制备均一粒子的方法及装置，在熔池内外惰性气体存在压力差的条件下，通过加热器 |
| 43 | CN101982230A | 脉冲小孔喷射批量制备均一粒子的方法及装置 | 2011.03.02 | 本发明涉及一种脉冲小孔喷射批量制备均一粒子的方法及装置，使用加热器将底部带多孔的坩埚中的高熔点材料熔 |
| 44 | CN101941698A | 电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置 | 2011.01.12 | 本发明涉及一种电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置，所述方法利用电子枪轰击高磷的棒状多晶硅，所述 |
| 45 | CN101935041A | 电子束和酸洗提纯多晶硅的方法 | 2011.01.05 | 本发明涉及电子束和酸洗提纯多晶硅的方法，包括下述步骤：首先取杂质含量高的硅料置于电子束熔炼炉中，进行 |
| 46 | CN101787563A | 感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置 | 2010.07.28 | 本发明涉及感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置，所述方法包括：用电子束熔炼方式去除硅中 |
| 47 | CN101774586A | 感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置 | 2010.07.14 | 本发明涉及感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置，所述方法是在高真空气氛中，采用感应线圈对高硼多晶硅 |
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